表現

 HELIOS 專為提高效率而設計，具有“零浪費”處理、顯著降低工廠功耗和占用空間小等優點。獲得專利的集成減排可確保最少的維護並超過傳統 CVD 和 PVD ​​設備的正常運行時間記錄。

能力

• 厚膜沉積（最大 12 微米）
• 低溫下的快速 ALD 沉積
• 低溫處理（低至 70 °C）
• 任何基板拓撲結構上的 100% 保形薄膜

• 納米層壓板與可重現的原子層控制的無縫結合
• 無產量損失的複合三元和四元合金薄膜

 

規格

• ETL 認證
• 靈活且可擴展的系統配置
• 完全聯鎖，確保安全和零排放
• 佔地面積小
• 擁有成本低

• 沉積室尺寸可達 1m x 1m
• 高通量增長 60-150 Å/min
• 以 500 μm 的間隔進行維護
• 零廢物減排系統
• 耗材效率高達 90%

 

物體上的商業規模原子層沉積

化學：具有成本效益的 ALD 薄膜，包括 ZrO2、Al2O3、ZnO、ZnAlO、ZnBO、SiO2、TiO2、TiAlO、TiN、BN、Nb3N5 等。具有納米層壓和納米複合材料能力的無縫且可重複的薄膜工程，對許多不同基材的附著力超過 1000 PSI，包括錫、金、銅、FR4、聚酰亞胺、許多不同的阻焊材料、聚氨酯、陶瓷、粘合劑等。
應用：  • 電子設備 • 傳感器、OLED 顯示器
• PCB、CoB、IC 和模塊
• 醫療設備和傳感器 
• 光學鍍膜
• 顯示和太陽能技術
• 光催化塗層
• 用於環境、腐蝕和高壓絕緣的封裝
設計：  HELIOS 結合了模塊化、零件專用工具和通用裝載機，可容納許多不同形狀和尺寸的零件。標準腔室尺寸為 1.5-80 升或最大 1m X 1m 面板（可定制尺寸）。