接觸孔底部蝕刻清潔
  傳統稀釋型氟化氫(Diluted HF)或緩衝液型氟化氫(Buffered HF)溶液在進行接觸孔底部蝕刻與清潔製程時,其側邊結構也會被同時有擴散蝕刻效應,造成CD值擴大的現象。這是因為不同性質氧化層的蝕刻率會因為氧化層特性而有不同程度的蝕刻率。Buffered OrganoEtch1能在蝕刻去除底部氧化層與清潔接觸孔的過程中,不至於使接觸孔CD值有擴散蝕刻效應。
   
  DRAM 堆疊Stacked Capacitor Etchant
  常見的稀釋型氟化氫(Diluted HF)或緩衝液型氟化氫(Buffered HF)溶液蝕刻時常誘使DRAM中電容堆疊結構相互牽引,造成水紋與微粒污染問題之缺陷。SASIC OrganoEtch1可以解決該項問題,利用低表面張力機制去除多餘的二氧化矽層而不會殘留水紋與微粒。最特別的是此產品技術是不需再以去離子水做後續清洗動作,所有SASIC OrganoEtch1的成分都是可揮發的。
   
  晶圓邊緣多餘光阻清洗Eage Bead Remover
  常見的晶圓邊多餘光阻清洗是以如PGMEA與Ethyl Lactate等溶劑清洗晶圓邊光阻,且已有相當良好效果。目前卻沒有一種EBR清洗方式,可以去除晶圓外圍斜邊的可能微粒。這在浸潤式曝光技術的技術上,是非常重要的議題。晶圓斜邊的微粒可能因為流體的牽引被帶到晶圓的製作區域,進而降低晶圓良率。SASIC OrganoStrip1 (EBR1) 不僅可以去除晶圓邊光阻,同時可以清除晶圓邊的微粒。
   
  CMOS影像晶片清潔
  1- CMOS影像晶片特別需要完全清潔、無水紋與微粒殘留的清潔製程。SASIC OrganoClean如OrganoStrip1 (EBR1)就能提供無需去離子水後續清洗的解決方案。

2- SASIC OrganoClean是目前唯一可在超音波製程下有作用的有機溶液。即使在低功率100W的超音波環境下,SASIC仍可有效的去除微粒。
   
  光罩清潔
  目前常見的光罩清潔製程,是以熱硫酸與SC1(混合Ammonium與Hydrogen Peroxide)製程作為基礎。此製程會在光罩表面形成薄霧狀薄膜,造成透光率下降的良率問題。SASIC 光罩清潔液Barracuda 是有效防止此一問題的清潔溶液。SASIC Barracuda是不含硫酸鹽的去光阻與去抗反射層物質之產品,可迅速 清潔光罩表面又不會殘留薄霧薄膜,是非常適合未來新製程需求的產品。
   
  濕製程微粒清潔溶液
  隨著晶圓製程提升與製作結構日益縮小,使得結構變得更易碎裂。在目前所使用微粒去除製程方式如超音波、高壓噴洗等所加諸物理力使得結構被破壞,在現在的製程要求下不再容許繼續使用。SASIC微粒去除清潔液ElectroScrub可在不損壞微細結構嚴苛條件下,有效去除清潔微粒。
   
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