元件,圖案,薄膜等各自獨立透過氣體熱傳導方式進行:
● 無圖案效果
● 無需去除背層薄膜
● 加熱 SOI晶圓和大批晶圓不會有變形和破損問題

低溫能力:
● 200°C以下的生產重現性與可靠性好

價值:
● 高生產輸出量,超過 60 wfrs /小時,每腔室
● 消耗品和備件成本最低化,無須熱照射器,不需旋轉
● 設置和測試晶圓數量最少
● 最小的設備空間
● 最節能(穩態 <6千瓦;峰值<20千瓦)

易於使用:
● 製程記錄快速且方便調整
● 機台間校正可靠且快速
● 對相同目標溫度有相同設定,不需照射器校正表或調整軟體
● 加熱和冷卻同樣快速,可重複和內在均勻性一致
● 無超調,簡單的溫度控制,保證最佳重現性<1°C
● 加熱過程中零物理性接觸,保證應力效應最低化,無刮傷

產品焦點:
● 氧化
● 矽化
● RTP for LED