透過氣體熱傳導實現與元件、圖案及薄膜無關的加熱技術：

-無圖案效應 (No pattern effect)： 加熱不受晶圓表面圖案影響。

-支援多種晶圓： 可加熱絕緣層上覆矽 (SOI) 晶圓及塊狀矽 (Bulk Si) 晶圓。

-放射率無關退火 (Emissivity independent)： 退火製程不受材料放射率影響。

技術能力 (Capabilities)

-穩定可靠的低溫運作： 低至 200°C 仍具備高重複性與可靠性。

-支援高翹曲晶圓： 可處理具有較大彎曲度 (Large bow) 的晶圓。

-最高溫度： 1100°C

-規格相容性： 支援 200 mm (8吋) 與 300 mm (12吋) 晶圓。

-支援多種退火氣體： 包含 N₂, Ar, He, O₂, NH₃, 合成氣體 (FG) 及 H₂

持有價值 (Value of Ownership)

-高產出率： 每小時高達 120 片晶圓 (wfrs/hr)。

-極低持有成本： 相較於傳統燈管式加熱系統 (Lamp system)，成本顯著降低。

-高稼動率與低維護成本： 稼動率≥ 95%，且大幅縮短維護時間。

-減少測試片需求： 僅需極少數量的參數設定片與測試片。

-最小佔地面積： 節省無塵室空間。

-優化熱預算： 相較於燈管系統，提供更低的熱預算。

操作簡便性 (Ease of Use)

-快速製程轉換： 可快速且輕鬆地調整至標準製程紀錄 (Process of Record, POR)。

-優異的熱性能： 升降溫過程快速、具高重複性且具備本質上的均勻度。

-精密溫度控制： 控制精度<1°C，且無溫度過衝(No Overshoot) 現象。

-全程無物理接觸： 加熱過程中零接觸，確保最低應力，且絕無刮傷。

-無需溫度穩定步驟： 縮短等待週期。

-無需換氣時間 (No purge time)： 提升操作效率。

應用亮點 (Application Spotlight)

-矽化物製程 (Silicidation)

-歐姆接觸退火 (Ohmic contact anneal)

-摻雜活化 (Dopant activation)

-CVD 前/後處理

-應力消除 (Stress relieving, 如 BPSG)

-高溫清洗 (High temperature cleaning)

-氮化處理： 透過  N2 和 NH3退火（接觸障壁層/高介電常數金屬閘極 HKMG）

-氫氣還原銅製程 (Copper reduction)

-氧化製程 (Oxidation)

-100% 水蒸氣氧化製程