表現
THEIA 通過 Forge Nano 的專利 SMFD-ALD™ 在低成本系統中為研發預算提供超快速沉積。亞秒級 ALD 循環時間允許有效和快速地探索需要厚膜的應用。涵蓋具有高達 1,000 縱橫比的具有挑戰性的圖案化基板，例如先進一代 DRAM 器件晶圓、薄膜、傳感器、電子倍增器等。 
THEIA 是一種低成本和多功能的 ALD 系統，適合大多數研發預算。靈活的腔室設計允許兩者；圓最大 200 mm 的基闆卡盤，適合半導體晶圓，或方形部件托盤，可更好地容納面板或隨機形狀的部件。
能力

• 快速厚膜沉積（> 5 微米）
• 低溫下的快速 ALD 沉積
• 低溫處理（低至 80 °C）
• 納米層壓板與可重現的原子層控制的無縫結合
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• 無產量損失的複合三元和四元合金薄膜
• 以高質量和時間分辨率對薄膜生長進行原位 QCM 監測
• 現場可重新配置

規格
溫度窗口：50 – 500 °C
液體化學品入口：最多 6 個
氣態化學品入口： 最多 4 個
 
佔地面積：60 英寸長 x 32 英寸寬 x 76 英寸高
容量： 最大200mm晶圓
優惠券和物體的 5mm 高度間隙
基板處理：手動單晶片裝載
使用 Forge Nano 的專利 SMFD-ALD™ 實現超快速沉積
化學成分：  Al2O3、SiO2、AZO、TiO2、GaN、TiN、Bi2O3、Pt、Co、Cu、Ta205、Hf203、MLD
THEIA 是探索新開發的 ALD 前體的理想選擇。在初始階段，ALD 前體通常非常昂貴（1,000 美元/克並不罕見），而且數量非常少。用戶還受益於許多成熟的高生產率 ALD 工藝，包括 HfO2、ZrO2、Ta2O5 SiO2、<300°C TiN、BN、GaN、Nb3N5 等，可作為 Forge Nano 的交鑰匙工藝提供。 覆蓋具有高達 1,000 X 增強面積的具有挑戰性的圖案化基板，例如先進一代 DRAM 器件晶圓、薄膜、傳感器、電子倍增器等。
 
應用： 銅屏障、ALD-Cap、光學、粘附/播種、TCO
 
設計：THEIA 是唯一的 ALD 研發工具，可提供與大規模生產兼容的超快沉積。借助 Forge Nano 獲得專利的 SMFD-ALD™，新的強大功能終於可以在適合大多數研發預算的低成本系統中使用。亞秒級 ALD 循環時間允許有效和快速地探索需要厚膜的應用。專有來源和工藝使新應用具有前所未有的可重複性和可控性。通過集成 QCM 以優於 5% 的單層分辨率監控薄膜生長，以實現更精細的工藝探索和優化以及最精細的生長細節。THEIA 可讓您釋放原子層沉積的全部潛力。  
 附加組件： 臭氧發生器、QCM、等離子