TEPHRA™ 設備將是一種依據業界需求所設計的 Cluster System，目標是透過全新的自動化與控制技術，達成最高的 ALD 生產力。

Cluster System 設計

• 搬送模組與晶片盒模組採用市面上已有長期穩定記錄的第三方設備

• 設計可支援各種尺寸基板，從 100mm 至 200mm 直徑

• 最多可搭載 3 個製程模組

• 各模組專為特定 ALD 製程所設計

• 可處理氧化物、氮化物、金屬材料

• 預熱模組 – 即將推出

• 電漿清洗模組 – 即將推出

材料

氧化物（Oxides）：Al₂O₃、SiO₂、HfO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、AZO、TiO₂、Y₂O₃
氮化物（Nitrides）：TiN、TaN、AlN、GaN、ZrN
元素材料（Elements）：Ru、Pt、Co、Cu、Ni
應用領域：防潮層、鈍化層、種子層、銅擋層、光學鍍膜、透明導電氧化物（TCOs）

圖片內容翻譯如下：

硬體（Hardware）

• 快速氣動閥（1 毫秒啟動時間）

• 原位壓力控制機制，支援小於 1 秒的製程循環時間

• 前端晶圓盒搬運系統，配備真空轉換室與機械手臂轉移模組

製程（Process）

• 為氧化物、氮化物及元素設置專用製程腔體

• 催化式熱 ALD 製程，無需使用電漿

• 某些製程可達到高達 90% 的前驅物利用率

控制系統（Control）

• 模組化 PLC 控制系統

• 相容 SECS/GEM 通訊協定，並具擴充資料記錄功能

• 符合 E95 標準的圖形化人機介面（HMI）