技術能力 (Capabilities)

-高產出率： 在 30 秒製程時間下，每小時產出高達 30 片晶圓 (wph)。

-可調式升降溫速率： 提供極佳的熱梯度控制靈活性。

-支援高翹曲與變形晶圓： 可穩定處理具有較大彎曲度 (Bow) 或翹曲度 (Warp) 的晶圓。

-寬廣的製程溫度範圍： 支援 200°C 至 1100°C。

-多尺寸相容性： 支援 100 mm (4吋)、150 mm (6吋) 及 200 mm (8吋) 晶圓。

-多種退火氣體支援： 包含 N2, Ar  與He 

-極低氧含量控制： 反應腔內的氧氣濃度低於 1 ppm。

持有價值 (Value of Ownership)

-高產能效率： 在 30 秒製程下可達 30 wph，大幅提升生產力。

-高稼動率與低維護需求： 稼動率 ≥95%，且維護停機時間短。

-極佳的成本優勢： 相較於箱型爐系統 (Box System)，具備更低的持有成本。

-極小佔地面積： 最佳化無塵室空間利用率。

操作簡便性 (Ease of Use)

-卓越的熱性能： 升降溫過程快速、具高重複性且具備本質上的均勻度。

-簡化製程配置： 無需使用加熱箱 (Box) 或感應體 (Susceptor)。

-無需換氣等待時間 (No purge time)： 進一步縮短循環時間。

應用亮點 (Application Spotlight)

-歐姆接觸退火 (Ohmic contact anneal)

-寬禁帶 (WBG) 材料應用： 碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、氧化鎵 (Ga2O3)、氮化鋁/藍寶石 (AlN/Sapphire)、鑽石 (Diamond)、砷化鎵 (GaAs)。

-矽化物製程 (Silicidation)

-LED 專用快速熱處理 (RTP for LED)